Pole połączeniowe-Identyfikacja styków tranzystora efektowego (JFET).
Bramka JFET jest odpowiednikiem bazy tranzystora, podczas gdy źródło i dren odpowiadają odpowiednio emiterowi i kolektorowi. Ustaw multimetr na zakres R×1k i zmierz rezystancję w przód i w tył pomiędzy każdą parą pinów. Kiedy rezystancja w przód i w tył pomiędzy dwoma pinami jest równa, obie wynoszą kilka kΩ, te dwa piny są drenem (D) i źródłem (S) (wymienne). Pozostały pin to bramka (G). W przypadku JFET z czterema pinami, pozostały pin to ekran (uziemiony podczas użytkowania).
Określenie bramki
Dotknij jednej elektrody tranzystora czarną sondą multimetru, a pozostałych dwóch elektrod czerwoną sondą. Jeśli obie zmierzone rezystancje są bardzo wysokie, oznacza to rezystancję odwrotną, co oznacza, że tranzystor jest tranzystorem JFET z kanałem N-, a czarna sonda jest podłączona do bramki. Proces produkcyjny wymaga, aby źródło i dren JFET były symetryczne i wymienne bez wpływu na działanie obwodu; dlatego zróżnicowanie jest niepotrzebne. Rezystancja pomiędzy źródłem a drenem wynosi około kilku tysięcy omów.
Należy pamiętać, że tej metody nie można zastosować do określenia bramki izolowanego-tranzystora polowego-bramki (IGFET). Dzieje się tak dlatego, że rezystancja wejściowa takich tranzystorów jest niezwykle wysoka, a pojemność źródła-bramki jest bardzo mała. Podczas pomiaru nawet niewielka ilość ładunku może wytworzyć bardzo wysokie napięcie na pojemności źródła bramki-, łatwo uszkadzając tranzystor.
Szacowanie możliwości wzmocnienia
Ustaw multimetr na zakres R×100. Podłącz czerwoną sondę do źródła (S), a czarną sondę do drenu (D), skutecznie doprowadzając napięcie zasilania 1,5 V do IGFET. Igła miernika wskaże wówczas wartość rezystancji D-S. Następnie ściśnij bramkę (G) palcem, przykładając napięcie indukowane z ciała jako sygnał wejściowy do bramki. Ze względu na efekt wzmocnienia tranzystora zmienią się zarówno UDS, jak i ID, co jest równoważne zmianie rezystancji D-S. Można zaobserwować znaczne wahania igły miernika. Jeśli igła kołysze się bardzo słabo, gdy bramka jest ściśnięta, zdolność wzmocnienia tranzystora jest słaba; jeśli igła się nie porusza, tranzystor jest uszkodzony. Ponieważ napięcie prądu przemiennego 50 Hz indukowane przez ludzkie ciało jest stosunkowo wysokie, a punkt pracy różnych tranzystorów MOSFET może się różnić przy pomiarze w zakresie rezystancji, wskazówka miernika może odchylać się w prawo lub w lewo, gdy bramkę ściska się ręcznie. Kilka tranzystorów MOSFET będzie miało zmniejszony RDS, co spowoduje, że wskazówka przesunie się w prawo; większość tranzystorów MOSFET będzie miała zwiększony RDS, powodując przechylenie igły w lewo. Niezależnie od kierunku ruchu igły, jeśli jest zauważalne, oznacza to, że MOSFET ma zdolność wzmacniania.
Metodę tę można również zastosować do pomiaru tranzystorów MOSFET. Aby chronić MOSFET, izolowany uchwyt śrubokręta należy trzymać ręką, a bramkę należy dotykać metalowym prętem, aby zapobiec bezpośredniemu przyłożeniu indukowanego ładunku do bramki i uszkodzeniu MOSFET-u.
Po każdym pomiarze tranzystora MOSFET niewielka ilość ładunku zgromadzi się na pojemności złącza G-S, tworząc napięcie UGS. Podczas ponownego pomiaru igła glukometru może się nie poruszać. W takim przypadku zwarcie-terminali G-S rozwiąże problem.
