MOSFET PDFN5

MOSFET PDFN5
Szczegóły:
W przypadku serii PDFN5*6-8L firma CTK podkreśla powód konstrukcyjny stojący za tym pakietem: większy zespół napędowy typu DFN o większej pojemności cieplnej i mniejszym oporze. Ta strona jest przeznaczona dla inżynierów sprawdzających planowanie termiczne, ograniczenia płyty i ciągłość zaopatrzenia
Wyślij zapytanie
Opis
Wyślij zapytanie

Tongke Electronic Co., Ltd. jest jednym z najbardziej niezawodnych producentów i dostawców mosfetów pdfn5 w Chinach. Zachęcamy do sprzedaży hurtowej trwałego mosfetu pdfn5 na sprzedaż tutaj z naszej fabryki. Wszystkie produkty charakteryzują się wysoką jakością i niską ceną. Aby uzyskać wycenę, skontaktuj się z nami teraz.

 

 

CTKG100N10DF5 100V/100A N-kanał MOSFET mocy|Szczegóły produktu

 

CTKG100N10DF5 100V/100A

 

PDFN5X6-8L N-kanałowy MOSFET mocy z dzieloną bramką

Produkcja masowa|Przegląd motoryzacyjny-

 

 

CTKG100N10DF5to wysoko-prądowy N-kanałowy MOSFET mocy przeznaczony do obwodów konwersji średniej-wysokiego-mocy i sterowania obciążeniem. Równoważy bardzo-niską rezystancję przewodzenia ze zoptymalizowaną wydajnością przełączania. Każda jednostka podlega100% lawina UISINapięcie dynamiczne Vdsekranowanie, zapewniające stabilną wydajność elektryczną i doskonałą odporność na przepięcia w przypadku magazynowania energii konsumenckiej, elektronarzędzi, sterowania przemysłowego i pomocniczego sprzętu zasilającego w motoryzacji. Mieści się w kompaktowej obudowie PDFN5×6-8L-do montażu powierzchniowego i służy jako niezawodny zamiennik importowanych tranzystorów MOSFET mocy.

pdfn5 mosfet 100A 100V

 

Podstawowe specyfikacje elektryczne

Absolutne maksymalne oceny (TJ=25 stopień)

Drenaż-Napięcie źródła VDS 100V Bramka-Napięcie źródła VGS ±20V
Ciągły prąd drenu ID 100A (TC=25 stopień) ;
60A (TC=100 stopień)
Impulsowy prąd drenu IDM 400A
Pojedynczy impuls Energia lawinowa EJAK 144mJ Rozpraszanie mocy PD 147W
Połączenie-z-przypadkiem RθJC 0,85 stopnia/W Temperatura pracy i przechowywania -55 stopni ~ 150 stopni

 

 
 
Kluczowe funkcje

RDS(wł.)typ. 6.5mΩ (VGS=10V) 

Qgtylko 29nC, niski ładunek Millera

tNA=8.4ns, twyłączony=27ns

Dioda korpusowa trr=45ns, Qrr=53nC

 

Kluczowe właściwości elektryczne (TJ=25 stopień

 

Wydajność przewodzenia:Typowy rDS(wł.)=6.5mΩ (maks. 8,4 mΩ) przy VGS=10V, ID=30A. Niska rezystancja-znacznie zmniejsza straty mocy w przypadku długotrwałego dużego prądu.
Dynamiczne przełączanie:Całkowita opłata za bramkę Qg=29nC, opłata Millera Qgd=8.4nC. Włącz-opóźnienie włączenia 8,4 ns, wzrost 9,4 ns; wyłączenie-opóźnienie 27 ns, jesień 18 ns.
Dioda korpusu:Ciągły prąd przewodzenia 100A, trr=45ns, Qrr=53nC – eliminuje zewnętrznego Schottky’ego.
Awaria i wyciek:V(BR)DSSWiększe lub równe 100 V; IDSSMniejszy lub równy 1 mA, wyciek bramki Mniejszy lub równy ±100 nA.

 

 

Zalety pakietu PDFN5×6-8L

 

Wielo-pinowy, równoległy rozkład prądu- Cztery równoległe styki D na górze i styki S na dole redukują indukcyjność pasożytniczą i nagrzewanie złącza lutowniczego.

Duża odsłonięta podkładka termiczna- Pełnowymiarowa-podkładka dolna z RθJC=0.85 stopień/W, bezpośrednie przenoszenie ciepła na płytkę drukowaną.

Zabezpieczenie-odwrotnego montażu- Znacznik kropki PIN1 zapobiega nieprawidłowemu umieszczeniu SMT.

Uniwersalny ślad w branży- Standardowy układ podkładek PDFN5×6-8L, wsuwany zamiennik konkurencyjnych części.

Przyjazny dla SMT-- Kompatybilny z-szybkim wybieraniem-i-miejscami, doskonałą wydajnością ponownego przepływu.

 

Kontrola niezawodności fabryki

 

CTKG100N10DF5 ulega100% kontroladla dwóch krytycznych testów:

UIS (przełączanie indukcyjne bez zacisku)- sprawdza odporność na energię lawiny pojedynczego-impulsu w stosunku do odrzutu indukcyjnego.

Dynamiczne naprężenie napięciowe ΔVds- ekranuje ukryte defekty dielektryczne, aby zapobiec-awariom w połowie okresu użytkowania.

EJAKdo 144 mJ zapewnia solidną odporność na przepięcia przejściowe, wydłużając MTBF sprzętu.

 

Główne scenariusze zastosowań

Obwody przełącznika obciążenia

Przenośna elektrownia / wyłączniki główne Li-PACK

Ścieżka zasilania szybkiej ładowarki PD z wieloma-portami

Zabezpieczenie nadprądowe/zwarciowe BMS.-Zabezpieczenie BMS

Przemysłowe płyty sterujące-z możliwością wymiany podczas pracy

Wysoka-konwersja częstotliwości PWM

Synchroniczne przetwornice Buck/Boost DC-DC

Falowniki magazynujące energię fotowoltaiczną

Napędy po stronie dolnej-silnika BLDC

Sterowniki serw

Energia przemysłowa i samochodowa

Zasilacze przemysłowe/komunikacyjne AC-DC

Pomocnicza dystrybucja niskiego-napięcia samochodowego

Pętle zasilania awaryjnego UPS

Sterowniki LED-wysokiej mocy/urządzenia pomocnicze do spawania

 

 
Informacje o zamówieniu i opakowaniu
Formularz opakowania:
Taśma i szpula 13 cali
Ilość szpul:
5000 szt
Ilość w kartonie:
50 000 szt
Cechowanie:
CTKG100N10DF5

Stabilna produkcja masowa,-ekonomiczna alternatywa dla tranzystorów MOSFET innych marek.

Podsumowanie wyboru produktu

 

CTKG100N10DF5łączy w sobie napięcie wytrzymywane 100 V, prąd ciągły 100 A, ultra-niską-oporność 6,5 mΩ i technologię wykopu Split-Gate w połączeniu z termicznie zoptymalizowaną obudową PDFN5×6-8L i ekranowaniem o 100% niezawodności. W przypadku inżynierów sprzętu rozwiązuje podstawowe problemy, takie jak nadmierne nagrzewanie, osłabienie przepięć i ograniczenia przestrzenne na płytce drukowanej. W przypadku zakupów standardowe opakowanie,-zamiennik zgodny z pinami i stabilna dostawa usprawniają łańcuch dostaw i zmniejszają koszty BOM. Preferowany wysokowydajny N-kanałowy MOSFET mocy do masowo produkowanych konsumenckich magazynów energii, elektronarzędzi, sterowania przemysłowego i samochodowego sprzętu zasilającego.

Popularne Tagi: pdfn5 mosfet, Chiny pdfn5 mosfet producenci, dostawcy, fabryka

Wyślij zapytanie